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Herstellerteilenummer | AS4C32M32MD1A-5BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M32MD1A-5BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M32MD1A-5BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Speichergröße | 1Gb (32M x 32) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-VFBGA |
Supplier Device Package | 90-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M32MD1A-5BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M32MD1A-5BIN-FT |
AS4C128M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT41K1G8SN-107 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel