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Herstellerteilenummer | AS4C4M16D1A-5TINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C4M16D1A-5TINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C4M16D1A-5TINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 66-TSOP II |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M16D1A-5TINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C4M16D1A-5TINTR-FT |
AS7C3256A-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256B-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M32MD3-15BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MD2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M32MD2A-18BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation