Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / AS4C512M8D3-12BIN
Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3-12BIN |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3-12BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C512M8D3-12BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (9x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3-12BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3-12BIN-FT |
AS4C16M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel