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Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3LB-12BAN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3LB-12BAN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3LB-12BAN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (10.5x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3LB-12BAN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3LB-12BAN-FT |
AS4C16M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel