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Herstellerteilenummer | AS4C64M16D3-12BCNTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M16D3-12BCNTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M16D3-12BCNTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (13x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3-12BCNTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M16D3-12BCNTR-FT |
AS7C3256A-20TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel