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Herstellerteilenummer | AS4C64M16D3-12BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M16D3-12BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M16D3-12BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (13x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3-12BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M16D3-12BINTR-FT |
AS7C3256B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BIN
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel