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Herstellerteilenummer | AS4C64M8D3-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M8D3-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M8D3-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (8x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D3-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M8D3-12BCN-FT |
AS1C8M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel