Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / AS6C6416-55TIN
Herstellerteilenummer | AS6C6416-55TIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C6416-55TIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C6416-55TIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55TIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C6416-55TIN-FT |
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel