Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / ATP112-TL-H
Herstellerteilenummer | ATP112-TL-H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ATP112-TL-H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ATP112-TL-H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | ATPAK |
Paket / fall | ATPAK (2 leads+tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATP112-TL-H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ATP112-TL-H-FT |
STU6N65K3
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Microsemi Corporation
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