Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STU9HN65M2
Herstellerteilenummer | STU9HN65M2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-STU9HN65M2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ M2 |
STU9HN65M2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I-PAK |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU9HN65M2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STU9HN65M2-FT |
STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
STB100N10F7
STMicroelectronics
STB100N6F7
STMicroelectronics
STB120N4F6
STMicroelectronics
STB120N4LF6
STMicroelectronics
STB155N3LH6
STMicroelectronics
STB18NF25
STMicroelectronics
STB18NF30
STMicroelectronics
STB46NF30
STMicroelectronics
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel