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Infineon Technologies AUIRF7343QTR

MFG-Teilenummer
AUIRF7343QTR
verfügbare Anzahl
78870 Stücke
Referenzpreis
USD 0.67348
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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AUIRF7343QTR Spezifikationen

Herstellerteilenummer AUIRF7343QTR
Zukünftige Teilenummer FT-AUIRF7343QTR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
AUIRF7343QTR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7343QTR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer AUIRF7343QTR-FT

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