Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRF7669L2TR
Herstellerteilenummer | AUIRF7669L2TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRF7669L2TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
AUIRF7669L2TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 114A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.3W (Ta), 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET L8 |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric L8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7669L2TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRF7669L2TR-FT |
IPA60R099P6XKSA1
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IPAW60R600P7SXKSA1
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A3P015-1QNG68
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EP4SGX70HF35I3N
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