Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPA80R1K0CEXKSA2
Herstellerteilenummer | IPA80R1K0CEXKSA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPA80R1K0CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPA80R1K0CEXKSA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R1K0CEXKSA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPA80R1K0CEXKSA2-FT |
BSP321PH6327XTSA1
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BSP321PL6327HTSA1
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BSP324 E6327
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