Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRLR120N

Infineon Technologies AUIRLR120N

Name: AUIRLR120N
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRLR120N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (32 reviews)

MFG-Teilenummer: AUIRLR120N

verfügbare Anzahl: 63200 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: AUIRLR120N.pdf

AUIRLR120N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	AUIRLR120N
Zukünftige Teilenummer	FT-AUIRLR120N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
AUIRLR120N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRLR120N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	AUIRLR120N-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns