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Herstellerteilenummer | FQD5N60CTM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQD5N60CTM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQD5N60CTM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD5N60CTM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQD5N60CTM-FT |
FDD9409-F085
ON Semiconductor
FDD14AN06LA0-F085
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FDD5810-F085
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FDD86369-F085
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IRFR9024NPBF
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IXFY8N65X2
IXYS
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IXTY02N120P
IXYS
IXTY08N100P
IXYS
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
Intel