Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / B170BE-13
Herstellerteilenummer | B170BE-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-B170BE-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
B170BE-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 70V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 70V |
Kapazität @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B170BE-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | B170BE-13-FT |
JAN1N5622US
Microsemi Corporation
JAN1N5623
Microsemi Corporation
JAN1N5623US
Microsemi Corporation
JAN1N5802
Microsemi Corporation
JAN1N5804
Microsemi Corporation
JAN1N5809
Microsemi Corporation
JAN1N5809US
Microsemi Corporation
JAN1N5811
Microsemi Corporation
JAN1N6074
Microsemi Corporation
JAN1N6075
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel