Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BA159GHB0G
Herstellerteilenummer | BA159GHB0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BA159GHB0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BA159GHB0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA159GHB0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA159GHB0G-FT |
SR809HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel