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Herstellerteilenummer | BAS21TMR6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21TMR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 250V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SC-74 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TMR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS21TMR6T1G-FT |
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
BAR43S
ON Semiconductor
BAS 40-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-06 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel