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Herstellerteilenummer | BAS281-GS08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS281-GS08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS281-GS08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-80 Variant |
Supplier Device Package | SOD-80 QuadroMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS281-GS08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS281-GS08-FT |
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel