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Herstellerteilenummer | VS-40EPS12-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-40EPS12-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-40EPS12-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 40A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247AC Modified |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-40EPS12-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-40EPS12-M3-FT |
VI20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation