Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BAS4006E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BAS4006E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS4006E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS4006E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 120mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ps |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 30V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS4006E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS4006E6327HTSA1-FT |
V40120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ
WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ
WeEn Semiconductors
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel