Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BAS4006E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BAS4006E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS4006E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS4006E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 120mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ps |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 30V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS4006E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS4006E6327HTSA1-FT |
V40120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ
WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ
WeEn Semiconductors
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel