Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / BCR129SE6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR129SE6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR129SE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR129SE6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR129SE6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR129SE6327HTSA1-FT |
PEMB4,115
Nexperia USA Inc.
PEMB9,115
Nexperia USA Inc.
PEMB9,315
Nexperia USA Inc.
PEMD10,115
Nexperia USA Inc.
PEMD12,115
Nexperia USA Inc.
PEMD12,315
Nexperia USA Inc.
PEMD13,115
Nexperia USA Inc.
PEMD14,115
Nexperia USA Inc.
PEMD15,115
Nexperia USA Inc.
PEMD17,115
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZQNG48
Microsemi Corporation
EP4SGX530NF45I4
Intel
5AGZME5H3F35C4N
Intel
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Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
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Xilinx Inc.
XC7A200T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation