Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMD12,315
Herstellerteilenummer | PEMD12,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PEMD12,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMD12,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD12,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMD12,315-FT |
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1G
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MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1G
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NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5113DW1T3G
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NSVMUN5133DW1T1G
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NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU025-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H3F35C2N
Intel
A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation