Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / BCR133SB6327XT
Herstellerteilenummer | BCR133SB6327XT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR133SB6327XT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR133SB6327XT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 130MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR133SB6327XT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR133SB6327XT-FT |
PEMB9,315
Nexperia USA Inc.
PEMD10,115
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PEMD12,115
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PEMD12,315
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PEMD13,115
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PEMD14,115
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PEMD19,115
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EP1K10TC144-3N
Intel
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
A3PE600-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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