Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCY59-VII
Herstellerteilenummer | BCY59-VII |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCY59-VII |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCY59-VII Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY59-VII Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCY59-VII-FT |
JANTXV2N5152
Microsemi Corporation
JANTXV2N5152L
Microsemi Corporation
JANTXV2N5237S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5238S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5416
Microsemi Corporation
JANTXV2N5665
Microsemi Corporation
JANTXV2N5666S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5667
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
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A3P250-2FGG256I
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M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
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EP4CE15E22I7N
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LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel