Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5666S
Herstellerteilenummer | JANTXV2N5666S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N5666S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANTXV2N5666S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 200V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Leistung max | 1.2W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5666S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N5666S-FT |
JAN2N6306
Microsemi Corporation
JAN2N6308
Microsemi Corporation
JAN2N6383
Microsemi Corporation
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
Microsemi Corporation
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
Intel
5AGXFA7H4F35I3N
Intel