Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
Herstellerteilenummer | BFG135AE6327XT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFG135AE6327XT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 6GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 9dB ~ 14dB |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176C
Xilinx Inc.
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA7H2F35I3
Intel
XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel
EP1SGX25DF1020C5
Intel