Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFG 196 E6327
Herstellerteilenummer | BFG 196 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFG 196 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFG 196 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 9dB ~ 14.5dB |
Leistung max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 196 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFG 196 E6327-FT |
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel