Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFG 19S E6327
Herstellerteilenummer | BFG 19S E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFG 19S E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFG 19S E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 14dB ~ 8.5dB |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 210mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 19S E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFG 19S E6327-FT |
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4
Intel
A42MX24-PQG208A
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256I7G
Intel
EP2AGX125DF25C5NES
Intel
10AX032E4F27E3LG
Intel
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N1F45I1SG
Intel