Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFG 235 E6327
Herstellerteilenummer | BFG 235 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFG 235 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFG 235 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.7dB @ 900MHz |
Gewinnen | 12.5dB |
Leistung max | 2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 75 @ 200mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 235 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFG 235 E6327-FT |
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
A54SX08-2TQ144
Microsemi Corporation
EPF10K10ATI144-3N
Intel
XC2VP4-5FGG256C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX08A-FG144
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3C25U256I7
Intel
XC5VFX70T-2FFG665C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40I2SG
Intel
EP1S40F780C8N
Intel