Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFP843FH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BFP843FH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFP843FH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFP843FH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 2.25V |
Frequenz - Übergang | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz |
Gewinnen | 13.5dB ~ 25dB |
Leistung max | 125mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 15mA, 1.8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 55mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Flat Leads |
Supplier Device Package | TSFP-4-1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP843FH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFP843FH6327XTSA1-FT |
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel