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Herstellerteilenummer | BQ4010YMA-150N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4010YMA-150N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4010YMA-150N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 64Kb (8K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
Zugriffszeit | 150ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-150N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4010YMA-150N-FT |
W632GU6KB12J
Winbond Electronics
W632GU6KB15I
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W632GU6KB15I TR
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W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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W632GU6MB-12
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W631GU6MB-12
Winbond Electronics
XA3S1600E-4FG400I
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XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
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LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel