Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSB013NE2LXIXUMA1
Herstellerteilenummer | BSB013NE2LXIXUMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSB013NE2LXIXUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSB013NE2LXIXUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 36A (Ta), 163A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB013NE2LXIXUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSB013NE2LXIXUMA1-FT |
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
AUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel