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Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Name: BSB056N10NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB056N10NN3GXUMA1
Price: 1.248952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (443 reviews)

MFG-Teilenummer: BSB056N10NN3GXUMA1

verfügbare Anzahl: 12310 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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BSB056N10NN3GXUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSB056N10NN3GXUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSB056N10NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSB056N10NN3GXUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A (Ta), 83A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall	3-WDSON
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB056N10NN3GXUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSB056N10NN3GXUMA1-FT

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