Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC022N03SG
Herstellerteilenummer | BSC022N03SG |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC022N03SG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC022N03SG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8290pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC022N03SG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC022N03SG-FT |
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC050NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel