Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC032NE2LSATMA1
Herstellerteilenummer | BSC032NE2LSATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC032NE2LSATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC032NE2LSATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 84A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC032NE2LSATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC032NE2LSATMA1-FT |
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel