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Infineon Technologies BSC042NE7NS3GATMA1

Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1
Price: 0.936248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (654 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC042NE7NS3GATMA1

verfügbare Anzahl: 13530 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC042NE7NS3GATMA1.pdf

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BSC042NE7NS3GATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC042NE7NS3GATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC042NE7NS3GATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC042NE7NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 37.5V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC042NE7NS3GATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC042NE7NS3GATMA1-FT

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