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Infineon Technologies BSC046N02KSGAUMA1

Name: BSC046N02KSGAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC046N02KSGAUMA1
Price: 0.463592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (350 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC046N02KSGAUMA1

verfügbare Anzahl: 90110 Stücke

Referenzpreis: USD 0.463592

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC046N02KSGAUMA1.pdf

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BSC046N02KSGAUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC046N02KSGAUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC046N02KSGAUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC046N02KSGAUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC046N02KSGAUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC046N02KSGAUMA1-FT

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