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Infineon Technologies BSC079N10NSGATMA1

Name: BSC079N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC079N10NSGATMA1
Price: 0.942424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (152 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC079N10NSGATMA1

verfügbare Anzahl: 65130 Stücke

Referenzpreis: USD 0.942424

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC079N10NSGATMA1.pdf

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BSC079N10NSGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC079N10NSGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC079N10NSGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC079N10NSGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13.4A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5900pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC079N10NSGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC079N10NSGATMA1-FT

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