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Infineon Technologies BSC085N025S G

Name: BSC085N025S G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC085N025S G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (232 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC085N025S G

verfügbare Anzahl: 58190 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC085N025S G.pdf

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BSC085N025S G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC085N025S G
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC085N025S G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC085N025S G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	14A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC085N025S G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC085N025S G-FT

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