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Infineon Technologies IRFH8202TRPBF

Name: IRFH8202TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8202TRPBF
Price: 0.604456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (44 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFH8202TRPBF

verfügbare Anzahl: 29330 Stücke

Referenzpreis: USD 0.604456

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFH8202TRPBF.pdf

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IRFH8202TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFH8202TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFH8202TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFH8202TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	47A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH8202TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFH8202TRPBF-FT

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