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Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1

Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1
Price: 0.385416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (177 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC252N10NSFGATMA1

verfügbare Anzahl: 81720 Stücke

Referenzpreis: USD 0.385416

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC252N10NSFGATMA1.pdf

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BSC252N10NSFGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC252N10NSFGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC252N10NSFGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC252N10NSFGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.2A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 43µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC252N10NSFGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC252N10NSFGATMA1-FT

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