Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC265N10LSFGATMA1
Herstellerteilenummer | BSC265N10LSFGATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC265N10LSFGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC265N10LSFGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 43µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC265N10LSFGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC265N10LSFGATMA1-FT |
BSC025N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC026N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC026N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N03S G
Infineon Technologies
BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC029N025S G
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel