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Herstellerteilenummer | BSC883N03MSGATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC883N03MSGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC883N03MSGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 34V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 98A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC883N03MSGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC883N03MSGATMA1-FT |
BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC030N08NS5ATMA1
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
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EP20K600EBC652-1X
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