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Infineon Technologies BSC886N03LSGATMA1

Name: BSC886N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC886N03LSGATMA1
Price: 0.202672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (633 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC886N03LSGATMA1

verfügbare Anzahl: 58660 Stücke

Referenzpreis: USD 0.202672

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC886N03LSGATMA1.pdf

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BSC886N03LSGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC886N03LSGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC886N03LSGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC886N03LSGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC886N03LSGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC886N03LSGATMA1-FT

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