Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSH205G2R
Herstellerteilenummer | BSH205G2R |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSH205G2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSH205G2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 418pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 480mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH205G2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSH205G2R-FT |
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
PHB129NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB145NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB146NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB152NQ03LTA,118
NXP USA Inc.
PHB153NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB160NQ08T,118
NXP USA Inc.
PHB174NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB176NQ04T,118
NXP USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel