Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSL302SNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSL302SNH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSL302SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSL302SNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSOP-6-6 |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL302SNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSL302SNH6327XTSA1-FT |
NDS7002A_NB9GGTXA
ON Semiconductor
NDT451AN_J23Z
ON Semiconductor
RQJ0303PGDQA#H6
Renesas Electronics America
SI2300DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel