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Renesas Electronics America RQJ0303PGDQA#H6

MFG-Teilenummer
RQJ0303PGDQA#H6
verfügbare Anzahl
33240 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RQJ0303PGDQA#H6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer RQJ0303PGDQA#H6
Zukünftige Teilenummer FT-RQJ0303PGDQA#H6
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RQJ0303PGDQA#H6 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 3-MPAK
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQJ0303PGDQA#H6 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RQJ0303PGDQA#H6-FT

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