Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSL373SNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSL373SNH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSL373SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSL373SNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 218µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSOP-6-6 |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL373SNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSL373SNH6327XTSA1-FT |
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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