Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSL606SNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSL606SNH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSL606SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSL606SNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 15µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 657pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSOP-6-6 |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL606SNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSL606SNH6327XTSA1-FT |
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel